| 发明名称 | 电阻式随机存取记忆体及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI508341 | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | TW103112331 | 申请日期 | 2014.04.02 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;张硕哲;廖修汉;许博砚;林孟弘;吴伯伦;沈鼎瀛 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L45/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;詹东颖 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;刘亚君 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取记忆体，包括第一电极层、第二电极层以及设置在该第一电极层和该第二电极层之间的可变电阻层，其中该第二电极层包括第一子层、第二子层和设置在该第一子层和该第二子层之间的导电性金属氮氧化物层，其中该第一子层和该可变电阻层接触，该第一子层的材料包括钛，且在该第一子层中，氧/钛的数量比大于0.5。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||