非挥发性半导体记忆装置

主权项

一种非挥发性半导体记忆装置，其特征为包含：记忆单元，其可电性写入及抹除；位元线，其于行方向传送与上述记忆单元中记忆之资料相应之电位；感测放大器电路，其检测上述位元线之电位；及位元线连接电路，其连接于上述位元线与上述感测放大器电路之间；上述位元线连接电路具备：第1位元线连接电晶体，其配置于上述位元线连接电路之外侧布局区域；第2位元线连接电晶体，其配置于上述位元线连接电路之内侧布局区域；且上述第1位元线连接电晶体与上述第2位元线连接电晶体相比，其连接于上述位元线之杂质扩散层与元件分离区域之间之通道长度方向之距离较长。