三维记忆体阵列架构

主权项

一种三维记忆体阵列，其包括：一堆叠，其包括位于诸多层级处之复数个第一导线，该复数个第一导线藉由至少一绝缘材料而彼此分离；至少一导电延伸部，其经配置以实质上垂直于该复数个第一导线而延伸；储存元件材料，其围绕该至少一导电延伸部而形成；及记忆体胞选择材料，其围绕该至少一导电延伸部而形成，其中该至少一导电延伸部、该储存元件材料及该记忆体胞选择材料位于共面之一对该复数个第一导线之间。