| 发明名称 | 半导体晶片及制造半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体晶片(100)，具有预定分离划线(102)的规则图案，其中，所述预定分离划线(102)被配置为使得能够沿着所述规则图案将半导体晶片单个化。 | ||
| 申请公布号 | CN102810517B | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201210177073.9 | 申请日期 | 2012.05.31 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 弗洛里安·施密特;海默·舒切尔;迈克尔·齐恩曼 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体晶片(100)，具有通过在芯片区域之间注入氧离子形成包括氧化硅的预定分离划线(102)的规则图案，其中，所述预定分离划线(102)被配置为通过使用在硅和氧化硅之间具有高度的蚀刻选择性的蚀刻剂去除所述预定分离划线(102)中的氧化硅使得能够沿着所述规则图案将所述半导体晶片单个化。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||