发明名称 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件
摘要 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件,涉及显示器件制造技术领域,提高薄膜晶体管的特性。该薄膜晶体管,包括:在透明基板上依次形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层和源电极和漏电极层;通过对半导体有源层采用分层优化的方案,形成低氧、高导通半导体的层和高氧、低导通半导体的层;实现低的关态电流Ioff和高的开态电流Ion;同时由于是分层优化方案也降低了工艺过程对半导体有源层的影响。本发明实施例用于薄膜晶体管、阵列基板的制造,及利用上述薄膜晶体管、阵列基板驱动的显示器件。
申请公布号 CN103208525B 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201210480028.0 申请日期 2012.11.22
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 袁广才
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人 蒋雅洁;王黎延
主权项 一种薄膜晶体管,包括:栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极和漏电极,其特征在于,所述半导体有源层为多层结构,至少包括高导通能力的半导体层和低导通能力的半导体层;所述高导通能力的半导体层靠近栅极,且低导通能力的半导体层靠近源电极和漏电极;其中,所述低导通能力的半导体层与所述源电极和漏电极层之间还设有高导通能力的半导体过渡层;所述高导通能力的半导体过渡层与所述高导通能力的半导体层选用的材料相同。
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