一种横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中，N型漂移区2通过离子注入形成，在退火推结后，N型漂移区会向Y方向扩散，将P型埋层超出N型漂移区2一些距离，使得扩散出去的N型漂移区有P型杂质耗尽，这样，在直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，电荷不平衡的问题得以改善，从而得到更优化的击穿电压。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

主权项

一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述直线结终端结构与横向高压功率器件有源区结构相同，包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P‑well区(6)、源极N⁺接触区(7)、源极P⁺接触区(8)、P型埋层(9)、N型掺杂层(10)；P‑well区(6)与N型漂移区(2)位于P型衬底(3)的上层，其中P‑well区(6)位于中间，两边是N型漂移区(2)，且P‑well区(6)与N型漂移区(2)相连；N型漂移区(2)中远离P‑well区(6)的两侧是漏极N⁺接触区(1)，P‑well区(6)的表面具有与金属化源极相连的源极N⁺接触区(7)和源极P⁺接触区(8)，其中源极P⁺接触区(8)位于中间，源极N⁺接触区(7)位于源极P⁺接触区(8)两侧；P型埋层(9)位于N型漂移区(2)中，在P‑well区(6)与N⁺接触区(1)之间；N型掺杂层(10)位于N型漂移区(2)中，在N型漂移区(2)的表面与P型埋层(9)的上方，在P‑well区(6)与N⁺接触区(1)之间；源极N⁺接触区(7)与N型漂移区(2)之间的P‑well区(6)表面的上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面的上方是栅极多晶硅(4)；所述曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P‑well区(6)、源极P⁺接触区(8)、P型埋层(9)、N型掺杂层(10)；P‑well区(6)表面上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P型埋层(9)和N型掺杂层(10)分别与直线结终端结构中的N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P型埋层(9)和N型掺杂层(10)相连并形成环形结构；其中，曲率结终端结构中的环形N⁺接触区(1)包围环形N型漂移区(2)，曲率结终端结构中的环形N型漂移区(2)内有环形栅极多晶硅(4)和环形栅氧化层(5)；与“直线结终端结构中的P‑well区(6)与N型漂移区(2)相连”不同的是，曲率结终端结构中的P‑well区(6)与N型漂移区(2)不相连且相互间距为L_P，L_P的具体取值范围在数微米至数十微米之间；其特征在于，所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的连接处与直接结终端结构中N型漂移区(2)和曲率结终端结构中N型漂移区(2)的连接处沿器件纵向方向的间距为b；所述曲率结终端结构中的环形P型埋层(9)的内壁与曲率结终端结构中的环形N型漂移区(2)和P型衬底(3)的连接处的间距为a；所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的外壁与直线结终端结构中N型掺杂层(10)和曲率结终端结构中N型掺杂层(10)的外壁的间距为d；所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的内壁与直线结终端结构中N型掺杂层(10)和曲率结终端结构中N型掺杂层(10)的内壁的间距为c。