发明名称 |
一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置,该方法包括:在衬底基板上依次形成栅极图形、栅极绝缘层薄膜、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、位于待形成的沟道区域内的第一刻蚀阻挡模块、源漏极金属层薄膜;利用第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜,通过湿法刻蚀形成包括源极和漏极的图形;通过干法刻蚀工艺形成包括欧姆接触层和有源层的图形。本发明在第一刻蚀阻挡模块可以保护对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜的基础上,只通过湿法刻蚀工艺完成对源漏极金属层的刻蚀,刻蚀均匀,避免了干法刻蚀工艺对于源漏极金属层进行刻蚀时,刻蚀不均匀,设备损耗大,出现良率低的问题。 |
申请公布号 |
CN105047723A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510601156.X |
申请日期 |
2015.09.18 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
熊胜楠;郑云友;李伟;张益存 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次形成栅极的图形、栅极绝缘层薄膜、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜;在所述欧姆接触层薄膜上位于待形成的沟道区域内形成第一刻蚀阻挡模块;在形成所述第一刻蚀阻挡模块的衬底基板上形成源漏极金属层薄膜;利用所述第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜,通过湿法刻蚀工艺在所述源漏极金属层薄膜形成包括源极和漏极的图形;通过干法刻蚀工艺在所述欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形,以及在所述有源层薄膜形成有源层的图形。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |