一种Cr掺杂Ge₂Sb₂Te₅相变材料、相变存储器单元及其制备方法

摘要

本发明提供一种Cr掺杂Ge₂Sb₂Te₅相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Cr掺杂Ge₂Sb₂Te₅相变材料的组分通式为Cr_xGe₂Sb₂Te₅，其中，x为Cr元素的原子比，且满足0.5<x<1.5。本发明通过对Ge₂Sb₂Te₅进行Cr掺杂，由于Cr是一种熔点极高的金属，可以提高相变材料的热稳定性，且Cr与Ge、Sb、Te三种元素都可以成键，从而有效避免偏析。本发明的Cr掺杂Ge₂Sb₂Te₅相变材料在外部能量的作用下，能够实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变，高低阻态的阻值比可达约两个数量级；其作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的高温数据保持力及可靠性有了极大的提高。采用本发明相变存储器单元结构的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。

主权项

一种Cr掺杂Ge₂Sb₂Te₅相变材料，其特征在于：所述Cr掺杂Ge₂Sb₂Te₅相变材料的组分通式为Cr_xGe₂Sb₂Te₅，其中，x为Cr元素的原子比，且满足0.5<x<1.5。