一种镍化硅合金的制备方法

摘要

本发明提供了一种镍化硅合金的制备方法，在制备镍化硅合金之前，依次采用低温氧气处理、湿法浸润式预清洗、硅钴镍预清洗，从而消除原生氧化物；然后，进行第一道快速热处理工艺，形成镍化硅金属；去除没有反应的镍化硅金属部分；进行第二道快速热处理工艺，形成镍化硅合金；其中，低温氧气处理的过程，用来消除因原生氧化物的不均匀性导致的半导体器件衬底的不均匀的缺陷；硅钴镍预清洗用来消除原生氧化物，使镍化硅合金与半导体器件衬底中硅的界面更加平稳光滑，并进一步使得镍化硅合金的厚度均匀性得到提升，而且避免因原生氧化物导致的金字塔缺陷，进而改善接触电阻的均匀性和避免半导体器件产生漏电。

主权项

一种镍化硅合金的制备方法，在一半导体器件衬底上进行，所述半导体器件衬底的材料包含硅，所述半导体器件衬底表面具有原生氧化物，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：采用O₂在不高于600℃下来处理所述半导体器件衬底，使所述半导体器件衬底表面的所述原生氧化物受热生长，从而形成均匀的原生氧化物层；步骤02：采用湿法浸润式预清洗工艺来处理所述半导体器件衬底，以去除所述半导体器件衬底表面的有机物和杂质；步骤03：采用硅钴镍预清洗工艺来处理所述半导体器件衬底，以去除所述半导体器件衬底表面的原生氧化物层，从而得到平坦的所述半导体器件衬底表面；步骤04：在所述半导体器件衬底上沉积镍金属层；步骤05：对半导体器件衬底进行第一道快速热退火工艺，所述镍金属层与所述半导体器件衬底表面的硅发生反应生成富镍相的镍化硅金属；步骤06：去除没有反应的所述镍金属层部分；步骤07：对半导体器件衬底进行第二道快速热退火工艺，使所述富镍相的镍化硅金属发生相变，形成镍化硅合金。