一种氮化硅微米管制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法，该方法将去除保护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在300～600℃的温度区间内热解，使光纤表面形成均匀厚度的碳膜；再将光纤在氮气条件下以1100～1600℃的温度区间高温加热，使碳膜与光纤表面的二氧化硅产生反应生成硅，然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜；将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉，形成中空的氮化硅微米管。该氮化硅微米管与炭黑进行混合，使氮化硅微米管增强导电性，然后在其中加入热熔型粘结剂形成混合物，再均匀涂在洗净的铜箔表面，可得到氮化硅微米管组成的硅负极材料。本发明制造的氮化硅微米管结构可用于制备锂电池的电极材料。本发明方法工艺流程简单，可控性强，成本比较低。

主权项

一种氮化硅微米管制造方法，该方法包括下述步骤：第1步将去除保护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在300～600℃的温度区间内热解，使光纤表面形成一层均匀厚度的碳膜；第2步将表面覆盖一层碳膜的光纤在氮气条件下以1100～1600℃的温度区间高温加热，使光纤表面的碳膜与光纤表面的二氧化硅产生反应生成硅，然后生成的硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜；第3步将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉，形成中空的氮化硅微米管。