| 发明名称 | 栅极驱动电路结构及其修复方法、阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅极驱动电路结构及其修复方法、阵列基板，属于栅极驱动电路技术领域，其可解决现有的栅极驱动电路产品良率低的问题。本发明的栅极驱动电路结构包括：包括多个电路薄膜晶体管的栅极驱动电路；至少一个冗余薄膜晶体管，每个冗余薄膜晶体管对应至少一个电路薄膜晶体管，冗余薄膜晶体管的第一电极、第二电极、栅极分别和其所对应的电路薄膜晶体管的第一电极、第二电极、栅极电连接或备用连接，在冗余薄膜晶体管的各电极和其所对应的任意一个电路薄膜晶体管的各电极的多个连接中，至少有一个为备用连接；所述备用连接是指两电极间至少部分通过备用引线连接，但备用引线与其中至少一个电极绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN105047163A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510536540.6 | 申请日期 | 2015.08.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 姚之晓;王俊伟;封宾 |
| 分类号 | G09G3/36(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I | 主分类号 | G09G3/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 柴亮;张天舒 |
| 主权项 | 一种栅极驱动电路结构，其特征在于，包括：包括多个电路薄膜晶体管的栅极驱动电路；至少一个冗余薄膜晶体管，每个冗余薄膜晶体管对应至少一个电路薄膜晶体管，冗余薄膜晶体管的第一电极、第二电极、栅极分别和其所对应的电路薄膜晶体管的第一电极、第二电极、栅极电连接或备用连接，在冗余薄膜晶体管的各电极和其所对应的任意一个电路薄膜晶体管的各电极的多个连接中，至少有一个为备用连接；所述备用连接是指两电极间至少部分通过备用引线连接，但备用引线与其中至少一个电极绝缘。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||