发明名称 |
增强离子植入的抗蚀剂去除的等离子体干式剥离预处理 |
摘要 |
本发明涉及增强离子植入的抗蚀剂去除的等离子体干式剥离预处理,公开了处理衬底的系统和方法,其包括使衬底暴露于来自UV光源并具有预定波长范围的UV光。该衬底包括已用离子轰击过的光阻剂层。该方法包括在使衬底暴露于UV光的同时将衬底的温度控制在低于或等于第一温度的温度下。该方法包括在使衬底暴露于UV光之后使用等离子体去除光阻剂层并同时将衬底的温度保持在低于或等于剥离处理温度下。 |
申请公布号 |
CN105047546A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510218360.3 |
申请日期 |
2015.04.30 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
伊凡·L·贝利三世;格伦·吉尔克里斯特 |
分类号 |
H01L21/26(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/26(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
樊英如;李献忠 |
主权项 |
一种处理衬底的方法,包括:使衬底暴露于来自UV光源并具有预定波长范围的UV光,其中所述衬底包括已用离子轰击过的光阻剂层;在使所述衬底暴露于所述UV光的同时将所述衬底的温度控制在低于或等于第一温度的温度下;以及在使所述衬底暴露于所述UV光之后,使用等离子体去除所述光阻剂层并同时将所述衬底的温度保持在低于或等于剥离处理温度下。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |