半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包括：一基板，具有围绕该基板中一井之一隔离特征部件，其中该井包括一第一掺杂物；一源极及一汲极，位于该井上；一通道，位于该源极及该汲极之间，其中该通道包括一第二掺杂物；一闸极，位于该通道上，其中该闸极包括一界面层及位于该界面层上之一闸极层；以及一阻障层，位于该通道与该井之间，该阻障层包括氧。