| 发明名称 |
包含半导体元件之装置、形成半导体元件之方法及运算系统 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI508264 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
| 申请号 |
TW102133628 |
申请日期 |
2013.09.17 |
| 申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
高尔 尼蒂;皮拉里塞堤 拉维;穆客吉 尼洛;乔 罗伯特Ｓ;瑞奇马迪 威利;梅兹 马修Ｖ;李 凡Ｈ;喀瓦里洛斯 杰克Ｔ;拉多沙弗杰维克 马克;杵 空 班杰明;戴威 吉伯特;宋承勋 |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/8238 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种包含半导体元件之装置，其包含：该半导体元件包含在一井部材料的一井部上之具有一第一晶格结构的一通道材料，该井部材料具有一匹配的晶格结构，该井部被配置在具有不同于该第一晶格结构的一第二晶格结构之一缓冲材料中，其中该井部包含高度对宽度以及高度对长度各大于1.5之一纵横比。
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| 地址 |
美国 |
