| 发明名称 | 一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜，是以透明导电氧化物(TCO)纳米晶、非晶态的氧化钨为基质制备出的“TCO纳米晶-WO<sub>3</sub>非晶”双相复合薄膜；本发明还公开了该纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜的制备方法。本发明采用纳米晶增强技术，提高了传统氧化钨薄膜在可见光波段的电致变色性能，同时利用TCO纳米晶在近红外波段的调制特性，实现了氧化钨薄膜在近红外波段的调制，解决了现有技术中氧化钨薄膜循环寿命不够长、大尺寸材料电致变色响应速率慢及缺乏近红外调制能力的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105036564A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510358853.7 | 申请日期 | 2015.06.25 |
| 申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 任洋;赵高扬;王秋红;高赟 |
| 分类号 | C03C17/23(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 李娜 |
| 主权项 | 一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜，其特征在于，是以非晶态的氧化钨为基质，将纳米晶态透明导电氧化物(TCO)嵌入到基质中，制备的“TCO纳米晶‑WO<sub>3</sub>非晶”双相复合薄膜。 | ||
| 地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 | ||