| 发明名称 | 用于TFT的金属氧化物半导体的缓冲层 | ||
| 摘要 | 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。 | ||
| 申请公布号 | CN105051906A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201480014434.5 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 柯蒂斯·莱施克斯;史蒂文·韦尔韦贝克;罗伯特·维瑟;约翰·M·怀特;彦·叶;任东吉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
| 主权项 | 一种薄膜半导体器件，所述器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比所述第一功函数更大的第二功函数及比所述第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比所述第二功函数更小的第三功函数。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||