发明名称 |
抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法 |
摘要 |
本发明提供了抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件的制备方法,通过在浅掺杂源漏区磷离子注入后,增设一道氟离子注入工序,然后对浅掺杂源漏区进行低温退火长时间处理,所注入的氟离子与栅极边缘区域的空位和间隙原子等结合,能够阻止P型阱区中硼元素的扩散,从而抑制反短沟道效应;并且,氟离子能够抑制热载流子注入,因此,在氟离子注入的同时,不会造成热载流子注入的可靠性变差。 |
申请公布号 |
CN105047566A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510488879.3 |
申请日期 |
2015.08.11 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
卢海峰;刘巍 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陈慧弘 |
主权项 |
一种抑制NMOS器件的反短沟道效应的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤01:在一半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构和有源区;步骤02:在所述有源区中形成硼掺杂的P型阱区,并且在所述半导体衬底上形成栅氧层和栅极,然后在所述栅极侧壁形成氧化修复层;步骤03:在所述栅极两侧的所述P型阱区中进行磷离子注入,以形成浅掺杂源漏区;步骤04:在所述浅掺杂源漏区中进行氟离子注入;步骤05:对经所述氟离子注入的所述浅掺杂源漏区进行退火处理。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |