发明名称 低电压LED芯片及其制造方法
摘要 本发明公开一种低电压LED芯片及其制造方法,涉及LED芯片制造技术领域。包括P电极、N电极和N电极引线,所述的P电极位于芯片中心,P电极中心与芯片中心重合;所述的N电极引线呈口字型分布在芯片上表面四周;所述的N电极为扇形,N电极中心与芯片顶点重合。能够解决传统手指型引线导致的电压与亮度相互影响的问题。使用闭合式的口字型引线取代传统的手指型引线,能够降低同一方向上电流密度,使电流最大限度的扩展开,从而达到降低电压而不影响亮度的目的。
申请公布号 CN105047781A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510341388.6 申请日期 2015.06.18
申请人 合肥彩虹蓝光科技有限公司 发明人 吴化胜;刘莉;宣圣柱;严贞贞
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 代理人 汪守勇
主权项 一种低电压LED芯片,包括P电极、N电极和N电极引线,其特征在于:所述的P电极为圆形,其中心与芯片中心重合;所述的N电极引线呈口字型分布在芯片上表面四周;所述的N电极为扇形,N电极中心与芯片顶点重合。
地址 230012 安徽省合肥市新站区工业园内