单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关

摘要

本发明公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

主权项

一种单刀单掷射频开关，其特征在于，包括：半导体开关器件(T)，其第一端通过第一电容(C1)连接该单刀单掷射频开关第一端口(P1)并通过第一电阻(R1)连接第一状态控制信号输入端(S1)，其第二端通过第二电阻(R2)连接第二状态控制信号输入端(S2)，其第三端通过第四电阻(R4)接地，并通过串联的第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第五电阻(R5)接地，其第四端通过第二电容(C2)连接该单刀单掷射频开关第二端口(P2)并通过第三电阻(R3)连接第三状态控制信号输入端(S3)；其中，第六电阻(R6)一端连接于第一二极管(D1)和第二二极管(D2)之间，第六电阻(R6)另一端接电源电压(VDD)，第一二极管(D1)负极连接第二二极管(D2)负极；第一电感(L1)跨接于第一电容(C1)、半导体开关器件(T)和第二电容(C2)所组成串联电路的两端。