发明名称 半导体装置和该半导体装置的制造方法
摘要
申请公布号 TWI508306 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW102144633 申请日期 2007.05.25
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 热海知昭;井上广树
分类号 H01L29/786;H01L21/334 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包含:一电容部,该电容部包括分别包括多个电容元件的多个区块、第一布线、以及第二布线,其中该多个电容元件的每一个电容元件包括:一半导体膜,该半导体膜具有第一杂质区和中间夹着该第一杂质区而设置的多个第二杂质区;以及一导电膜,该导电膜设置在该第一杂质区上且其间夹着一绝缘膜,其中该导电膜与该第一布线电连接,其中该第二布线具有包括多个环的形状,其中该多个区块的每一个区块包含一单元,该单元包含:该多个环的其中一个环;和一组多个电容元件中其中一些电容元件,其中所有该组电容元件的第一杂质区由该多个环的其中该一个环包围,其中所有该组电容元件的第二杂质区与该多个环的其中该一个环电连接,和其中该多个电容元件彼此并联连接。
地址 日本