| 发明名称 |
场效电晶体、半导体基板、场效电晶体之制造方法及半导体基板之制造方法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI508286 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
| 申请号 |
TW099130161 |
申请日期 |
2010.09.07 |
| 申请人 |
住友化学股份有限公司;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术总合研究所 |
发明人 |
秦雅彦;山田永;福原昇;高木信一;竹中充;横山正史;安田哲二;卜部友二;宫田典幸;板谷太郎;石井裕之 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/778;H01L21/336;H01L21/335 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种场效电晶体，系具有：闸极绝缘层、与前述闸极绝缘层相接之第1半导体结晶层、以及晶格匹配或拟晶格匹配于前述第1半导体结晶层之第2半导体结晶层，前述闸极绝缘层、前述第1半导体结晶层以及前述第2半导体结晶层系以前述闸极绝缘层、前述第1半导体结晶层、前述第2半导体结晶层之顺序进行配置，前述第1半导体结晶层系Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0<x1≦1、0≦y1≦1)，前述第2半导体结晶层系Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≦x2≦1、0≦y2≦1、y2≠y1)，前述第1半导体结晶层之电子亲和力Ea1系小于前述第2半导体结晶层之电子亲和力Ea2，其中，在前述第2半导体结晶层之至少一部分，包含显示P型传导型之不纯物。 |
| 地址 |
日本 |
