发明名称 半导体装置及该半导体装置的制造方法
摘要
申请公布号 TWI508301 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW099129682 申请日期 2010.09.02
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 坂仓真之;及川欣聪;山崎舜平;坂田淳一郎;津吹将志;秋元健吾;细羽美雪
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包括:设置在绝缘表面上的驱动电路部中的驱动电路及设置在该绝缘表面上的像素部中的像素;该驱动电路包括:该绝缘表面上的第一闸极电极层;该第一闸极电极层上的闸极绝缘层;夹着该闸极绝缘层而位于该第一闸极电极层上的第一氧化物半导体层,其中,该第一氧化物半导体层包括该第一氧化物半导体层的重叠于该第一闸极电极层的区域中的第一通道形成区;该第一氧化物半导体层上的第一源极电极层及第一汲极电极层;以及该第一源极电极层及该第一汲极电极层上的氧化物绝缘层,其中,该氧化物绝缘层与该第一通道形成区接触,该像素包括:该绝缘表面上的第二闸极电极层;该第二闸极电极层上的该闸极绝缘层;该闸极绝缘层上的第二源极电极层及第二汲极电极层;该闸极绝缘层、第二源极电极层以及该第二汲极电极层上的第二氧化物半导体层,其中,该第二氧化物半导体层至少覆盖该第二源极电极层和该第二汲极电极层中的一个的端部; 覆盖该第二氧化物半导体层的端部的第一导电层;以及该第二氧化物半导体层和该第一导电层上的该氧化物绝缘层,其中,该氧化物绝缘层至少与该第二氧化物半导体层的重叠于该第二闸极电极层的部分接触,其中,该第二闸极电极层、该闸极绝缘层、该第二源极电极层以及该第二氧化物半导体层都具有透光性。
地址 日本