发明名称 |
基于二维纳米壁的场发射阴极 |
摘要 |
本案涉及基于二维纳米壁的场发射阴极,包括:电子发射端,其包括衬板层和纳米壁层,所述纳米壁层呈网格状,并埋覆在所述衬板层中;铜芯;冷却装置,包括:第一陶瓷导热片,其靠近所述纳米壁层的一端架设有栅网;第二陶瓷导热片,其套设于第一陶瓷导热片的外部;半导体层,其填充于所述第一陶瓷导热片和第二陶瓷导热片之间;电源;其中,第二陶瓷导热片通过金属片与铜芯相连。本案采用二维网格结构的纳米壁使得阴极获得了更低的阻抗,有助于更大发射电流的产生;在纳米壁顶端桥接的金属层能够降低电子需要克服的功函数,增加可以利用的电子密度和二次电子发射能力;网格形状的栅极能够最大限度的提高电子的通过率。 |
申请公布号 |
CN105047504A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510411222.7 |
申请日期 |
2015.07.14 |
申请人 |
中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
发明人 |
邢晓曼;徐品;孙明山;曾维俊 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 |
代理人 |
史霞 |
主权项 |
一种基于二维纳米壁的场发射阴极,包括:电子发射端,其包括衬板层和纳米壁层,所述纳米壁层呈网格状,并埋覆在所述衬板层中;铜芯,其连接于所述衬板层中远离所述纳米壁层的一面;冷却装置,其包括:第一陶瓷导热片,其呈内部中空的圆柱型,且该圆柱的两端呈敞口设计,所述第一陶瓷导热片套设于所述电子发射端外部,并在所述第一陶瓷导热片靠近所述纳米壁层的一端架设有栅网;所述栅网与所述纳米壁层平行,所述栅网设有两个高压电接线端;第二陶瓷导热片,其呈内部中空的圆柱型,且该圆柱的两端呈敞口设计,所述第二陶瓷导热片的圆环半径大于所述第一陶瓷导热片的圆环半径,所述第二陶瓷导热片套设于所述第一陶瓷导热片的外部;半导体层,其填充于所述第一陶瓷导热片和第二陶瓷导热片之间,所述半导体层还分别设有两个电源接口;电源,其分别与所述半导体层的两个电源接口相连;其中,所述第二陶瓷导热片通过金属片与所述铜芯相连。 |
地址 |
215163 江苏省苏州市科技城科灵路88号 |