| 发明名称 | 磁性随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够实现高速工作的磁性存储器。本实施方式的磁性存储器具备：磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的隧道势垒层；第1布线，与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的一个磁性层电连接；选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第2布线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；二极管，该二极管的一个端子与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第3布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及读出放大器，与所述第3布线电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103021449B | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201210223483.2 | 申请日期 | 2012.06.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 北川英二 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李渤 |
| 主权项 | 一种磁性存储器，其特征在于，具备：磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的隧道势垒层；第1位线，与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的一个磁性层电连接；选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第2位线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；二极管，该二极管的一个端子与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；读出布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及读出放大器，与所述读出布线电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||