| 发明名称 | 用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：在碳化硅衬底表面形成图案化掩膜；借助上述图案化掩膜，对上述碳化硅衬底表面除对准标记区域之外的区域进行干法刻蚀以形成微掩模区，使得对准标记区域与微掩模区的亮度形成反差并由此构成对准标记。所述制备方法利用干法刻蚀在碳化硅衬底表面除对准标记区域之外的区域形成微掩模区，对准标记区域与微掩模区的亮度形成反差并由此构成对准标记，通过人工肉眼和图像识别设备都能够实现识别定位，从而能够减少误操作，降低返工率。此外，对准标记区域与微掩模区的亮度反差由碳化硅衬底材料本身的粗糙度形成，并未引入任何新的材料，因此不会引入污染。 | ||
| 申请公布号 | CN105047536A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510434277.X | 申请日期 | 2015.07.22 |
| 申请人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 | 发明人 | 何钧;仇坤;苗青;张瑜洁;牛喜平 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人 | 李彦波 |
| 主权项 | 一种用于碳化硅器件的对准标记的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在碳化硅衬底表面形成图案化掩膜；借助上述图案化掩膜，对上述碳化硅衬底表面除对准标记区域之外的区域进行干法刻蚀以形成微掩模区，使得对准标记区域与微掩模区的亮度形成反差并由此构成对准标记。 | ||
| 地址 | 100192 北京市海淀区清河西小口路66号东升科技园B-1 | ||