| 发明名称 | 用于制造单片白光二极管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造发光二极管的方法，其特征在于所述方法包括在支撑物(10)的正面制备发光层(20)的步骤，所述发光层包括在不同波长发光的至少两个相邻量子阱(21、22、23)，所述量子阱(21、22、23)与衬底的正面相接触。根据本发明，沉积发光层的步骤包括这样的子步骤，所述子步骤包括局部地改变支撑物的与正面相对的后面的温度，使得支撑物的正面包括至少两个处于不同温度的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN105051917A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201480010604.2 | 申请日期 | 2014.01.24 |
| 申请人 | 国家科学研究中心 | 发明人 | G·纳塔夫;P·德米里;S·舍诺 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/06(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造发光二极管的方法，其特征在于所述方法包括在支撑物(50，10)的正面制备发光层(20)的步骤(220)，所述发光层包括在不同波长发光的至少两个相邻的量子阱(21、22、23、24)，所述量子阱(21、22、23、24)与支撑物的正面相接触。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||