有机薄膜晶体管

摘要

在半导体活性层中含有通式(1)所表示的化合物的有机薄膜晶体管的载子迁移率高，反复驱动后的阈值电压变化小，具有在有机溶剂中的高溶解性(A¹、A²分别独立地表示硫原子、氧原子或硒原子，R¹～R⁶分别独立地表示氢原子或取代基。其中，R¹～R⁶中的至少一个为*-L-R所表示的取代基。L表示二价连结基或2个以上的二价连结基键结而成的二价连结基。R表示氢原子、烷基、重复数为2以上的低聚氧亚乙基、硅原子数为2以上的低聚硅氧烷基、三烷基硅烷基)。通式(1)

主权项

一种有机薄膜晶体管，其特征在于：在半导体活性层中含有下述通式(1)所表示的化合物，[化1](通式(1)中，A¹、A²分别独立地表示硫原子、氧原子或硒原子，R¹～R⁶分别独立地表示氢原子或取代基；其中，R¹～R⁶中的至少一个为下述通式(W)所表示的取代基)；*‑L‑R   通式(W)(通式(W)中，*表示与通式(1)中的萘环或含有A¹的环或含有A²的环的键结部位，L表示下述通式(L‑1)～通式(L‑10)的任一个所表示的二价连结基或2个以上的下述通式(L‑1)～通式(L‑10)的任一个所表示的二价连结基键结而成的二价连结基；R表示氢原子、经取代或未经取代的烷基、氧亚乙基单元的重复数为2以上的低聚氧亚乙基、硅原子数为2以上的低聚硅氧烷基、或者经取代或未经取代的三烷基硅烷基；其中，R表示氢原子的情形限于L为通式(L‑1)～通式(L‑3)或通式(L‑8)～通式(L‑10)的情形，R表示经取代或未经取代的三烷基硅烷基的情形限于邻接于R的L为下述通式(L‑3)所表示的二价连结基的情形)；[化2](通式(L‑1)～通式(L‑10)中，波线部分表示与萘环或含有A¹的环或含有A²的环的键结部位，*表示与所述通式(W)的R的键结部位；通式(L‑8)中的m表示4，通式(L‑9)及通式(L‑10)中的m表示2；通式(L‑1)、通式(L‑2)、通式(L‑8)、通式(L‑9)及通式(L‑10)中的R'分别独立地表示氢原子或取代基；其中，通式(L‑1)及通式(L‑2)中的R'也可分别与邻接于L的R键结而形成缩合环)。