阻变式记忆体及其制造方法

主权项

一种阻变性记忆体，包括：一第一电极；一第二电极，设置于该第一电极上；一可变电阻层，设置于该第一电极与该第二电极之间，其中该可变电阻层的材料包括氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、氧化铪、氧化镁、氧化锆、氧化铝、氧化锌、氧化镍或氧化钛；以及一铜氧化物层，设置于该第一电极与该可变电阻层之间，或是设置于该第二电极与该可变电阻层之间。