发明名称 记忆体单元结构
摘要
申请公布号 TWI508250 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW101123633 申请日期 2012.06.29
申请人 美光科技公司 发明人 西利士 史考特E
分类号 H01L23/52;H01L45/00 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种记忆体单元,其包括:一第一电极,其具有相对于该第一电极之一底面成小于90度角之侧壁;一第二电极,其包含该第二电极之一电极接触部分,该电极接触部分具有相对于该第一电极之该底面成小于90度角之侧壁,其中该第二电极系在该第一电极上方,且该第二电极系形成于一第一介电材料上,该第一介电材料具有相对于该第一电极之该底面成小于90度角之侧壁,且其中该第二电极之一成角度侧壁与该第一电极之一成角度侧壁系彼此相邻;及一储存元件,其介于该第一电极与该第二电极之该电极接触部分之间,其中该第一介电材料系形成于该储存元件之一顶面上。
地址 美国