| 发明名称 |
半导体装置及其形成方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI508169 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
| 申请号 |
TW100112607 |
申请日期 |
2011.04.12 |
| 申请人 |
格罗方德半导体私人有限公司 |
发明人 |
杰葛 森葛 莫恩;吴 史卫 特克;邱 萨福德;赫拉 林葛 裘 |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种形成半导体装置之方法，包含：提供一基板；于该基板上形成具有形成厚度TFD之装置层；于该基板上形成具有形成厚度TFC之盖体层，其中形成该盖体层消耗该装置层所需之量，以造成该装置层的厚度为目标厚度TTD；以及将该盖体层的厚度自TFC调整至目标厚度TFC，其中，该装置层包含电荷储存层。 |
| 地址 |
新加坡 |
