发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>ArF 엑시머 레이저 노광광이 적용되는 바이너리형 마스크를 작성하기 위해 이용되는 마스크 블랭크는, 투광성 기판 상에, 전사 패턴을 형성하기 위한 차광막을 갖는다. 상기 차광막은, 하층 및 상층의 적층 구조로 이루어지고, 노광광에 대한 광학 농도가 2.8 이상, 또한 막 두께가 45㎚ 이하이다. 상기 하층은, 천이 금속 및 규소의 합계 함유량이 90원자% 이상의 재료로 이루어지고, 막 두께가 30㎚ 이상이다. 상기 상층은, 막 두께가 3㎚ 이상 6㎚ 이하이다. 상기 차광막을 투과한 노광광과 상기 차광막의 막 두께와 동일한 거리만큼 공기 중을 투과한 노광광과의 사이에서의 위상차가 30도 이하이다.</p>
申请公布号 KR101568058(B1) 申请公布日期 2015.11.10
申请号 KR20130058960 申请日期 2013.05.24
申请人 发明人
分类号 G03F1/46;H01L21/027 主分类号 G03F1/46
代理机构 代理人
主权项
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