发明名称 MANUFACTURING METHOD OF ZnO THIN FILM USING COLD CATHOD
摘要 <p>본 발명은 냉음극 플라즈마를 이용한 산화 아연 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마를 발생시키기 위한 전원으로서 냉음극 변압기를 사용하는 산화 아연 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 냉음극 플라즈마를 이용한 산화 아연 박막의 제조 방법은 누설전류변압기를 이용하기 때문에 낮은 전원, 상온에서도 우수한 산화 아연 박막을 제조할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101567041(B1) 申请公布日期 2015.11.09
申请号 KR20130022582 申请日期 2013.03.04
申请人 发明人
分类号 C23C16/40;C23C16/44;C23C16/50 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人
主权项
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