发明名称 FINE RESIST PATTERN-FORMING COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME
摘要 <p>[과제] 표면 거칠음, 브리지(bridge) 결함, 또는 미해상(未解像) 등의 불량이 없는, 미세한 네가티브형 포토 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 조성물과, 이를 사용한 패턴 형성 방법의 제공. [해결 수단] 화학 증폭형 레지스트 조성물을 사용하여 형성한 네가티브형 레지스트 패턴에 적용하여 레지스트 패턴을 굵게 함으로써 패턴을 미세화하기 위해 사용되는 미세 패턴 형성용 조성물. 이 조성물은, 반복 단위 중에 아미노기를 함유하는 중합체 또는 중합체 혼합물과, 용제를 함유하여 이루어지고, 추가로 특정 량의 산을 함유하거나, 특정의 pH를 나타낸다. 그리고, 중합체 혼합물은, 한센 용해도 파라미터로부터 결정되는 HSP 거리가 3 이상인 복수의 중합체를 함유한다. 유기 용제 현상액으로 현상하여 수득되는 네가티브형 포토 레지스트 패턴에 그 조성물을 도포하고, 가열함으로써 미세한 패턴을 형성시킨다.</p>
申请公布号 KR20150125694(A) 申请公布日期 2015.11.09
申请号 KR20157026718 申请日期 2014.02.26
申请人 AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.A.R.L. 发明人 YAMAMOTO KAZUMA;MIYAMOTO YOSHIHIRO;SEKITO TAKASHI;NAGAHARA TATSURO
分类号 G03F7/038;G03F7/004 主分类号 G03F7/038
代理机构 代理人
主权项
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