| 摘要 |
<p>본 발명은 (A)하기 화학식 1로 표시되는 구조단위와 화학식 2로 표시되는 구조단위가 2:8 내지 5:5의 몰비로 포함하고 유리전이온도(Tg)가 150 내지 170℃이고 중량평균분자량이 9,000 내지 11,000이고 보호율이 23 내지 27%인 화합물을 포함하는 수지; (B)하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 광산발생제; (C)퀀쳐; 및 (D)유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물은 고해상도 및 패턴 형상이 우수하며 미세패턴을 정밀하게 구현하고 현상결함을 발생시키지 않는 것을 특징으로 한다.</p> |
