| 摘要 |
본 발명은 SiOC를 증착하는 방법들을 제공한다. 특정 방법들은 중성의 2 전자 도너 베이스를 포함하는 촉매의 존재 하에 기판 표면을 제1 전구체 및 제2 전구체에 노출시키는 것을 포함한다. 제1 전구체는 화학식 (XHSi)CH, 또는 (XHSi)(CH)(SiXH)이며, 여기서 X는 할로겐이며, y는 1 내지 3의 값을 가지며, z는 1 내지 3의 값을 가지며, n은 2 내지 5의 값을 갖는다. 제2 전구체는 물, 또는 탄소 및 적어도 두 개의 하이드록실 기들을 함유한 화합물을 포함한다. 특정의 다른 방법들은 중성의 2 전자 도너 베이스를 포함하는 촉매의 존재 하에 기판 표면을 제1 전구체 및 제2 전구체에 노출시키되, 제1 전구체가 SiX또는 XSi-SiX이며, 여기서 X는 할라이드이며, 제2 전구체는 탄소 및 적어도 두 개의 하이드록실 기들을 포함하는 것에 관한 것이다. |
