| 摘要 |
(1) 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 막을 형성하는 것과, (2) 상기 막을 활성 광선 또는 방사선으로 노광하는 것과, (3) 유기 용제를 포함한 현상액을 이용하여 상기 노광된 막을 현상하는 것을 포함한 패턴 형성 방법으로서, 상기 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은, (A) 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어서 산을 발생시키는 구조 부위를 구비한 반복 단위(R)를 갖는 수지와, (B) 용제를 함유하고, 상기 현상액이 노광 후의 수지(A)에 포함되는 극성기에 대하여 이온 결합, 수소 결합, 화학 결합 및 쌍극자 상호 작용으로부터 선택되는 적어도 하나의 상호 작용을 형성하는 첨가제를 함유하는 패턴 형성 방법에 의해, 고감도, 고해상성(고해상력 등), 막 감소 저감 성능, EL(노광 래티튜드), 및 국소적인 패턴 치수의 균일성(Local-CDU)을 매우 고차원에서 동시에 만족시키는 패턴 형성 방법, 이것에 제공되는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 이것을 이용하여 형성되는 레지스트막, 이것들을 사용한 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스를 제공한다. |
