| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einer dreidimensionalen Festkörperschicht (4), insbesondere zur Verwendung als Wafer, und/oder mindestens einem dreidimensionalen Festkörper (40). Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst bevorzugt die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Werkstücks (2) zum Ablösen der Festkörperschichten (4) und/oder der Festkörper (40), wobei das Werkstück (2) zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist, Erzeugen von Defekten (34) innerhalb des Werkstücks (2), wobei die Defekte (34) mindestens eine Rissführungsschicht (8) vorgeben, wobei die Rissführungsschicht (8) zumindest eine dreidimensionale Kontur beschreibt Anbringung oder Erzeugung einer Aufnahmeschicht (10) an der exponierten Oberfläche des Werkstücks (2) unter Bildung einer Kompositstruktur, Temperieren der Aufnahmeschicht zum Erzeugen von Spannungen innerhalb des Werkstücks (2), wobei die Spannungen eine Rissausbreitung innerhalb des Werkstücks (2) bewirken, wobei durch die Rissausbreitung eine dreidimensionale Festkörperschicht (4) oder ein dreidimensionaler Festkörper (40) von dem Werkstück (2) entlang der Rissführungsschicht (8) abgetrennt wird, wobei eine Oberfläche der Festkörperschicht (4) oder des Festkörpers der dreidimensionalen Kontur der Rissführungsschicht (8) entspricht.</p> |
