| 摘要 |
<p>Eine Nanodraht-Vorrichtung nach der vorliegenden Beschreibung kann eine hoch dotierte Unterschicht aufweisen, die zwischen mindestens einem Nanodraht-Transistor und dem Mikroelektronik-Substrat ausgebildet ist, auf dem die Nanodraht-Transistoren ausgebildet sind, wobei die hoch dotierte Unterschicht eine Leckage und hohe Gate-Kapazität verringern oder im Wesentlichen eliminieren kann, die an einem unteren Abschnitt der Gate-Struktur der Nanodraht-Transistoren auftreten können. Da die Ausbildung der hoch dotierten Unterschicht zu einer Gate-induzierten Drain-Leckage an einer Schnittstelle zwischen Source-Strukturen und Drain-Strukturen der Nanodraht-Transistoren führen kann, kann eine dünne Schicht von undotiertem oder niedrig dotiertem Material zwischen der hoch dotierten Unterschicht und den Nanodraht-Transistoren ausgebildet werden.</p> |
