| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung, die mit Folgendem ausgestattet ist: einem Gate-Isolierfilm, der ein Isoliermaterial mit hoher Dielektrizitätskonstante enthält und eine erste Breite aufweist; einer unteren Gate-Elektrode, die eine zweite Breite aufweist, die schmaler ist als die erste Breite; einer oberen Gate-Elektrode, die eine dritte Breite aufweist; und einer ersten Abstandsschicht, die den seitlichen Teil der oberen Gate-Elektrode, einen Teil des unteren Teils der oberen Gate-Elektrode, einen Teil der unteren Gate-Elektrode, einen Teil der oberen Oberfläche des Gate-Isolierfilms, wobei dieser Teil der oberen Oberfläche nicht mit der unteren Gate-Elektrode in Kontakt ist, und die seitliche Oberfläche des Gate-Isolierfilms abdeckt.</p> |
