| 摘要 |
<p>고감도 이미지 센서가 제공된다. 고감도 이미지 센서는 제1 도전형의 기판 내에 형성된 단전자 트랜지스터(Single Electron Field Effect Transistor; SEFET)를 포함하는 픽셀을 포함하며, 상기 단전자 트랜지스터는, 상기 기판 내에 형성된 제2 도전형의 제1 웰; 상기 제1 웰 내에 소정 간격 이격되어 형성된 제1 도전형의 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 제1 웰 내에 형성된 제2 도전형 게이트 영역을 포함한다.</p> |
