Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Halbleitervorrichtung mit: einem Kontakt-Gebiet ersten Leitfähigkeitstyps; einem Body-Gebiet zweiten Leitfähigkeitstyps; einem Drift-Gebiet ersten Leitfähigkeitstyps; einem Graben; einer Isolationsschicht; einer Gate-Elektrode; und einem Floating-Gebiet zweiten Leitfähigkeitstyps. Der Graben ist von der Oberfläche des Halbleitersubstrats durch das Kontakt-Gebiet und das Body-Gebiet hindurch gebildet, wobei ein Boden des Grabens in dem Drift-Gebiet angeordnet ist. Die Isolationsschicht bedeckt eine innere Oberfläche des Grabens. Umgeben von einer Isolationsschicht ist die Gate-Elektrode in dem Graben angeordnet. Das Floating-Gebiet ist tiefer als der Boden des Grabens und angrenzend an den Boden des Grabens ausgebildet. Das Floating-Gebiet enthält eine erste Schicht angrenzend an den Boden des Grabens und eine zweite Schicht an einer tieferen Stelle als die erste Schicht. Eine Breite der ersten Schicht ist größer als eine Breite der zweiten Schicht.