| 摘要 |
Es werden ein Bipolartransistor und ein Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors beschrieben. In einem Ausführungsbeispiel umfasst der Bipolartransistor einen Halbleiterkörper mit einem Kollektorgebiet und einem auf dem Kollektorgebiet angeordneten Basisgebiet, wobei das Kollektorgebiet mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierungstyps dotiert ist und das Basisgebiet zumindest teilweise mit Dotierstoffen eines ersten Dotierungstyps dotiert ist und mit isolierenden Spacern, die auf dem Basisgebiets angeordnet sind. Der Halbleiterkörper umfasst des Weiteren eine Halbleiterschicht mit einem auf dem Basisgebiet angeordneten und seitlich von den Abstandshaltern umschlossenen Emittergebiet, wobei das Emittergebiet mit Dotierstoffen des zweiten Dotierungstyps dotiert ist, um einen pn-Übergang zu dem Basisgebiet zu bilden, und das Emittergebiet vollständig über einer horizontalen, durch die Unterseite der Spacer verlaufenden Ebene angeordnet ist. |
