レーザ及びプラズマエッチングを用いたウェハダイシングのための均一なマスキング

摘要

レーザ及びプラズマエッチングを用いたウェハダイシング用の均一なマスキングが記載される。一例では、バンプ又はピラーを有する複数の集積回路を有する半導体ウェハをダイシングする方法は、半導体ウェハの上方でマスクを均一にスピンオンさせる工程であって、マスクは集積回路を覆い保護する層を含む工程を含む。マスクは、その後、ギャップを有するパターニングされたマスクを提供するために、レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングされ、集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させる。半導体ウェハは、その後、集積回路を個片化するために、パターニングされたマスク内のギャップを貫通してエッチングされる。