Integrierbarer resistiver Speicher in Backend-Metallschichten

摘要

Hier wird das Bereitstellen einer Speichervorrichtung mit einem resistiven Teilspeicher integriert in Backend-Schichten der Speichervorrichtung beschrieben. Der resistiv schaltende Speicher kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen beispielsweise in einen Speicher wie einen Cache, einen Arbeitsspeicher oder dergleichen eingebettet werden. Der resistive Speicher kann zwischen verschiedenen Backend-Metallisierungsschemata hergestellt werden, einschließlich Backend-Kupfermetallschichten, und zum Teil unter Verwendung von einem oder mehreren Damaszierungsverfahren. In einigen Ausführungsbeispielen kann der resistive Speicher zum Teil mit Damaszierungsverfahren und zum Teil mit subtraktiven Ätzverfahren unter Verwendung von vier oder weniger Photoresistmasken hergestellt werden. Somit bietet die Offenlegungsschrift einen relativ kostengünstigen hochleistungsfähigen Speicher, der mit einer Vielzahl von Herstellungsprozessen für integrierte Schaltungen kompatibel ist.