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发明名称
NAND型フラッシュメモリのプログラム方法
摘要
【課題】 データの書き換えによる信頼性の劣化を抑制するNAND型フラッシュメモリのプログラム方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のNAND型フラッシュメモリのプログラム方法は、ブロック内の複数のページへのプログラムを実行するブロックプログラムモードに移行したとき、プログラムすべきデータがキャッシュメモリにロードされる間に、選択されたブロックを消去し、キャッシュメモリにロードされたプログラムすべきデータを、消去されたブロックにプログラムする。【選択図】 図5
申请公布号
JP5804584(B1)
申请公布日期
2015.11.04
申请号
JP20140220916
申请日期
2014.10.30
申请人
ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション
发明人
矢野 勝
分类号
G11C16/02;G11C16/04
主分类号
G11C16/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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