Die Erfindung betrifft eine schaltbare Widerstandsstruktur (3) mit einem ersten elektrisch leitfähigen Kontakt (T1), einem zweiten elektrisch leitfähigen Kontakt (T2), einer ersten piezoelektrischen oder ferroelektrischen Schicht (11a) und einer zweiten piezoelektrischen oder ferroelektrischen Schicht (11b), wobei die beiden piezoelektrischen oder ferroelektrischen Schichten miteinander in körperlichem Kontakt stehen und zwischen den beiden Kontakten angeordnet sind, wobei mindestens einer der Kontakte mit der betreffenden piezoelektrischen oder ferroelektrischen Schicht einen Schottky-Kontakt bildet und wobei die zweite piezoelektrische oder ferroelektrische Schicht (11b) mit mindestens einem zusätzlichen Metall und/oder einem zusätzlichen Halbmetall als Dotand dotiert ist.
申请公布号
EP2940749(A1)
申请公布日期
2015.11.04
申请号
EP20150166520
申请日期
2014.01.16
申请人
HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人
YOU, TIANGUI;SCHMIDT, HEIDEMARIE;DU, NAN;BÜRGER, DANILO;SKORUPA, ILONA;SHUAI, YAO;OU, XIN;MANJUNATH, NIVEDITHA;KOLITSCH, ANDREAS
