| 发明名称 | 一种新型的栅下阱结构4H-SiCMOSFET器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种平面工艺中栅下阱结构的新型4H-SiCMOSFET器件结构.该结构主要应用于高压电路设计中。该结构中栅下阱可以接地,也可以悬空。带栅下阱的新型4H-SiCMOSFET器件结构设计能够明显提高4H-SiC MOSFET器件的击穿电压。该新型4H-SiCMOSFET是一种纵向的NMOSFET，其结构如图1所示，自上而下包括drain electrode（1）、n-substrate（2）、n-drift layer（3）、p-well（4）、bottom p-well(BPW)（5）、p-（6）、n+（7）、p+（8）、gate oxide（9）、poly-Si（10）、interlayer oxide（11）、source electrode（12）。由于在多晶硅栅下面增加了一个接地或悬空的BPW结构，本发明具有导通时击穿电压比普通4H-SiC场效应晶体管高的特点,更适合于高压电路设计研究。 | ||
| 申请公布号 | CN105023939A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201510161064.4 | 申请日期 | 2015.04.08 |
| 申请人 | 四川大学 | 发明人 | 高博;吴勤 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种新型的栅下阱4H‑SiCNMOSFET结构自上而下包括drain electrode（1）、n‑substrate（2）、n‑drift layer（3）、p‑well（4）、bottom p‑well(BPW)（5）、p‑区（6）、n+区（7）、p+区（8）、gate oxide（9）、poly‑Si（10）、interlayer oxide（11）、source electrode（12）。 | ||
| 地址 | 610064 四川省成都市武候区望江路29号 | ||