| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置为通过键合线(7)将半导体芯片(1)和电路图案(4)电连接的模块结构的半导体装置，在半导体芯片(1)的正面电极的表面形成有正面金属膜，在该正面金属膜通过引线键合而接合有键合线(7)。就半导体芯片(1)而言，在Si基板或SiC基板的正面具有正面电极，在背面具有背面电极。正面金属膜为厚度在例如3μm以上且7μm以下的Ni膜或Ni合金。键合线(7)为通过将引线键合前的结晶粒度控制在例如1μm以上且20μm以下的范围内，从而提高了再结晶温度且使强度得到了提高的Al线。由此，能够提供实现了大电流导通和高温动作的高可靠性的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN105027272A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201480011844.4 | 申请日期 | 2014.04.23 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 齐藤隆;百濑文彦;木户和优;西村芳孝 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/607(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 张川绪;李盛泉 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：导电部，设置于半导体元件的表面；金属膜，设置于所述导电部的表面，厚度为3μm以上且7μm以下；和键合线，通过利用了超声波振动的引线键合而接合于所述金属膜，且线径为500μm以上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||