发明名称 埋入硅基板扇出型封装结构及其制造方法
摘要 本发明公开了一种埋入硅基板扇出型封装结构及其制造方法,采用硅基体取代模塑料作为扇出的基体,充分利用硅基体的优势,能够制作精细布线。利用成熟的硅刻蚀工艺,可以精确刻蚀孔、槽等结构。通过将芯片埋入硅基体上的凹槽内,将聚合物胶填充芯片与凹槽侧壁之间的间隙,并把部分焊球扇出到硅基体表面,能够提高封装可靠性,工艺简单,成本低。由于硅基体的散热性好及具有更小的翘曲,有利于提高封装的散热性,克服不良翘曲,获得更小的布线线宽,适于高密度封装。工艺上,本发明可以取消圆片塑封,拆键合工艺,降低工艺难度,从而显著降低成本,提高成品率。
申请公布号 CN105023900A 申请公布日期 2015.11.04
申请号 CN201510486674.1 申请日期 2015.08.11
申请人 华天科技(昆山)电子有限公司 发明人 于大全
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L23/06(2006.01)I;H01L23/18(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 昆山四方专利事务所 32212 代理人 盛建德;段新颖
主权项 一种埋入硅基板扇出型封装结构,其特征在于:包括一硅基体(1),所述硅基体具有第一表面(101)和与其相对的第二表面(102),所述第一表面上形成有至少一个向所述第二表面延伸的凹槽,所述凹槽侧面与底面垂直或接近垂直,所述凹槽内放置有至少一颗芯片(2),所述芯片的焊盘面与所述凹槽底面反向,且所述芯片的焊盘面接近所述第一表面;所述芯片底部与所述凹槽底部之间设有一层粘附层(8),所述芯片侧面与所述凹槽的侧壁之间具有间隙,该间隙内填充有第一介质层(3);所述芯片及所述第一表面上形成有第二介质层(4);所述第二介质层上形成有至少一层与所述芯片的焊盘(201)连接的金属布线(5),最外一层金属布线上覆盖有一层钝化层(6),且该金属布线上形成有用于植焊球的凸点下金属层,所述钝化层上开设有对应该凸点下金属层的开口,所述凸点下金属层上植有焊球或凸点(7);且至少有一个焊球或凸点及其对应的凸点下金属层位于所述硅基体的第一表面上。
地址 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号
您可能感兴趣的专利