发明名称 |
氧化物半导体薄膜的评价方法,和氧化物半导体薄膜的品质管理方法,以及用于上述评价方法的评价元件和评价装置 |
摘要 |
提供一种非接触型,正确且简便地测量、评价(预测·推断)氧化物半导体薄膜的应力耐受性的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法,包括如下工序,第一工序,其是向形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波,测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后,停止所述激发光的照射,测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化的第一工序;第二工序,其是根据所述反射率的变化,计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数,评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。 |
申请公布号 |
CN105026918A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201480004370.0 |
申请日期 |
2014.01.09 |
申请人 |
株式会社神户制钢所 |
发明人 |
岸智弥;林和志;钉宫敏洋 |
分类号 |
G01N22/00(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
G01N22/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
张玉玲 |
主权项 |
一种氧化物半导体薄膜的评价方法,其特征在于,包括如下工序:第一工序,其是对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波,测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后,停止所述激发光的照射,测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的时间上的变化;第二工序,其是根据所述反射率的时间上的变化,计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数,由此评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。 |
地址 |
日本兵库县 |